Возможности Лаборатории

• температурный исследовательский диапазон от 3,5 до 400 К с точностью 0,01 К на основе криокулерных решений без применения криогенных жидкостей;


• исследовательский диапазон по магнитным полям до 8Тл с точностью 1 мТл на основе криокулерных решений без применения криогенных жидкостей с «теплой» сквозной шахтой сверхпроводящего магнита апертурой 50 мм;


• однородность магнитного поля не хуже 1 % в исследовательском объеме 1 куб. см.;


• возможность измерения одновременного воздействия температуры и магнитного поля в диапазонах соответственно 3,5-400 К и 0-8 Тл с раздельным охлаждением магнитной системы и образца;


• автоматизированный модульный измерительный комплекс:


• регистрация ВАХ на постоянном токе в диапазоне напряжений 10 нВ – 100 В и транспортного тока от 10 нА до 1000 А;


• регистрация ВАХ на переменном токе в диапазоне частот от 10 Гц до 1000 Гц с амплитудой тока до 500 А;


• контрольно однородности магнитных свойств наноструктурированных материалов с помощью сканирующей холловской магнитометрии на двумерном скане 100 мм х 150 мм в том числе в токовых режимах, с применением программных кодов, реализующих решение задачи инверсии Био-Савара;


• контрольно однородности магнитных свойств наноструктурированных материалов с помощью магнитооптики высокого разрешения в диапазоне температур 3,5- 400 К; - сканирующей холловской магнитометрии на двумерном скане 1 см2, в том числе в токовых режимах, с применением программных кодов, реализующих однозначное решение задачи инверсии Био-Савара;


• высокочувствительные измерения намагниченности и магнитной восприимчивости наноструктурированных образцов в магнитных полях не менее 8 Тл и температурах от 3,5 до 400 К;


• высокочувствительные методики измерения магнитосопротивления и эффекта холла в магнитных полях до 8 Тл и температурах от 3,5 до 400 К;


• контактные и бесконтактные измерения критической температуры и критического тока наноструктурированных сверхпроводящих материалов;


• контактные и бесконтактные измерения однородности критического тока длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент первого и второго поколений;


• измерение силы магнитной левитации на объемных наноструктурированных высокотемпературных сверхпроводниках.